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详解IGBT的米勒钳位电路

时间:2024-03-07 14:46来源:未知 作者:admin 点击:
当出现短路时 IGBT 的Vce快速上升,过高的dVce/dt会通过米勒 电容 给IGBT门极充电,若不进行保护会使得门极电压过高而损坏IGBT,门极钳位电路主要是在门极电压过高时起动 保护电路 动作
当出现短路时IGBT的Vce快速上升,过高的dVce/dt会通过米勒电容给IGBT门极充电,若不进行保护会使得门极电压过高而损坏IGBT,门极钳位电路主要是在门极电压过高时起动保护电路动作,提供电流泻放通道抑制门极电压升高。

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此电路选择较大的R3和较小的R5及适当的C2使用三极管Q1慢关快开(在IGBT导通前关断,在IGBT关断后导通),这样下面的电路就与IGBT的驱动完全独立开来了,R4,D4的目的是防止Q1有过高的Veb电压。此钳位电路适用于小功率自举电路。
目前已经驱动芯片内部集成了米勒钳位功能,可极大减少外部器件,简化布局布线。如下图Dcl,e是外部对电源钳位二极管,集成到芯片内部(Dcl)。

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设计注意点:
1、 D2要选择肖特基二极管,电流满足驱动要求。
2、 PNP三极管选择速度快,延迟小,高增益,同时有一定的电流通流能力。
3、 要保证从IGBT门极至二极管到电源电容C1至IGBT发射极的回路最小。
4、电容及三极管一定放在IGBT的门极处。
(责任编辑:admin)

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