IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT最常见的形式其实是模块(Module),而不是单管。IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。 IGBT功率模块的优势主要有: 1.低功耗:IGBT功率模块的功耗比普通MOSFET功率模块低,可以降低系统的功耗; 2.高效率:IGBT功率模块的效率比普通MOSFET功率模块高,可以提高系统的效率; 3.高可靠性:IGBT功率模块的可靠性比普通MOSFET功率模块高,可以提高系统的可靠性; 4.低成本:IGBT功率模块的成本比普通MOSFET功率模块低,可以降低系统的成本。 IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)组成的功率模块。因为IGBT模块为MOSFET构造,IGBT的栅极经过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具备出色的元器件性能。普遍使用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。
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