最近，三星举办了题为“加快创新速度”的“三星先进代工生态系统论坛”，公布了在芯片代工制造领域的一系列重要技术创新和业务发展计划。

在论坛上，三星详细介绍了他们的2纳米制造工艺量产计划和性能水平，并宣布从2025年开始提供8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工服务，以满足人工智能技术的需求。这种半导体具有高性能低功耗的特点，在消费类电子、数据中心和汽车等领域将得到广泛应用。

早在今年3月，就有报道指出三星计划投资约2，000亿韩元（约1.54亿美元）用于生产碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，主要用于电源管理IC。现在的消息显示，三星将采用8英寸晶圆来生产碳化硅和氮化镓芯片，而不是像大多数厂商使用的6英寸晶圆。

此外，三星还计划使用8英寸晶圆制造MicroLED。他们的先进技术研究院已经拥有相关的氮化镓技术。

三星选择使用8英寸晶圆进行功率半导体生产具有引人注目的意义，因为大多数厂商在碳化硅芯片方面使用的是4英寸和6英寸晶圆。而对于氮化镓芯片来说，8英寸晶圆正变得越来越普遍。

碳化硅和氮化镓相较于硅具有更高的耐用性和能源效率，因此被广泛应用于最新的电源管理IC。汽车行业普遍青睐碳化硅，而氮化镓则在无线通信领域获得更多应用机会，主要因为其快速切换的特点。

编辑：黄飞