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先简单解释一下MOS的工作原理图。
它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS
MOS管，其内部结构见mos管工作原理图。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
MOS管的工作过程主要分为三个步骤：
1.导通：当控制电压达到一定的阈值时，MOS管的源极和漏极之间的晶体管就会导通，从而使电路通过；
2.放大：当控制电压达到一定的阈值时，MOS管就会放大输入信号，从而使输出信号更强；
3.抑制：当控制电压达到一定的阈值时，MOS管就会抑制输入信号，从而使输出信号更弱。
MOS管和三级管的区别
MOS管和三级管的主要区别在于控制电压的不同，MOS管的控制电压是静态的，而三级管的控制电压是动态的。MOS管的优点是低功耗、低噪声、高灵敏度、高频率响应能力，缺点是控制电压较低，控制电流较小。三级管的优点是控制电压较高，控制电流较大，缺点是功耗较高、噪声较大、灵敏度较低、频率响应能力较低。
MOS管的控制电压可以通过外部电路来调节，而三级管的控制电压只能通过内部电路来调节。此外，MOS管的控制电压可以通过外部电路来改变，而三级管的控制电压只能通过内部电路来改变。
MOS管的引脚连接顺序
G:gate栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。 这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。
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