GaN和SiC属于高带隙的第三代半导体材料，与第一代Si和第二代GaAs等前辈相比，它们在特性上具有突出优势。由于大的带隙和高的热导率，GaN器件可以在200°C以上的高温下工作，并且可以承载更高的能量密度和更高的可靠性；大的带隙和绝缘损坏电场降低了器件的导通电阻，有利于提高器件的整体能效。快速电子饱和和高载流子迁移率允许器件以高速运行。

　　与GaN相比，实际上是第三代半导体材料的SiC的应用研究起步较早，而GaN近年来之所以变得更加引人注目，主要有两个原因：

　　首先，GaN在降低成本方面显示出更大的潜力。目前，主流GaN技术制造商正在开发基于Si的GaN器件，以取代昂贵的SiC衬底。

　　第二，因为GaN器件是平面器件，它们与现有的Si半导体工艺具有很强的兼容性，这使得它更容易与其他半导体器件集成，例如集成驱动器IC和GaN开关晶体管，进一步降低了用户的使用门槛。

　　在新一代电力电子产品的制造过程中，如果使用氮化镓，它的尺寸会比原来的硅材料更小，运行速度更快，效率更高。这可以减少电力电子部件的质量、体积和便携性，并且还可以增加电力电子部件使用寿命，从而降低寿命周期成本。GaN技术的支持允许器件在更高的温度、电压和频率下工作，从而允许电子器件使用更少的能量实现更高的性能。

　　充电器也是GaN技术的一个主要应用方面。氮化镓技术的快速开关优势增加了充电器的开关频率，减少了变压器体积，降低了设备的散热要求，从而显著降低了充电器的体积，使充电器具有更大的输出功率和更多的输出接口，深得消费者的喜爱。与普通充电器不同，由于点烟器接口的尺寸限制，汽车充电器通常无法更大，如果使用传统的电源设备，输出功率很难进一步提高。然而，氮化镓功率器件在汽车充电产品中的应用可以增加输出功率并保持原始体积不变。

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　　审核编辑：郭婷