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提出了一种基于大电流导通压降的Si IGBT和SiC MOSFET结温在线监测方法 提出一种Si IGBT和SiC MOSFET功率器件结温标定方法，实现了低自然抗干扰结温标定。 提出一种Si IGBT和SiC MOSFET功率器件导通压降及电流在线检测电路，设计了兼具结温监测功能的驱动电路，并提出了- -种结温反推方法，提升了结温在线监测精度。 实验验证了所提方法的有效性和准确性。
编辑：黄飞 (责任编辑：admin) |
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提出了一种基于大电流导通压降的Si IGBT和SiC MOSFET结温在线监测方法 提出一种Si IGBT和SiC MOSFET功率器件结温标定方法，实现了低自然抗干扰结温标定。 提出一种Si IGBT和SiC MOSFET功率器件导通压降及电流在线检测电路，设计了兼具结温监测功能的驱动电路，并提出了- -种结温反推方法，提升了结温在线监测精度。 实验验证了所提方法的有效性和准确性。
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