我们知道三极管是一款电流放大器件。

三极管分为NPN型和PNP型半导体，两者结构工作原理基本相同。

三极管的结构图如图所示，三级管内部有两个PN结，分别为集电结和发射结，有基集(B)、集电极(C)和发射极(E)三个引脚。

MOS管是FET中的一种，现主要用增强型MOS管，分为PMOS和NMOS，其电气表达如下所示。

MOS管也有栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。

NMOS:

PMOS:

三极管和MOS管的区别

MOS管是电压控制的元件，而三级管是电流控制的元件。

三极管的be极之间可以理解为存在一个二极管，这也就产生了一个电流的通路，当给三极管施加高电平时，be之间会产生一个持续的电流，此时三极管被打开；高电平消失，电流也瞬间消失了，三极管也会关闭;由于维持三极管打开的必要条件就是三极管be之间存在着连续电流，所以三极管也被称之为电流控制元件。

而对于MOS管来说，栅极和源极之间是不存在通路的，他们之间仅存在一个寄生电容，当给栅极施加高电平时，会在一开始产生一个给寄生电容充电的电流，但除此之外，并不存在其他的电流，他只需要维持栅极和源极之间的电压差，就可以打卡MOS管，甚至因为该寄生电容的存在，当我撤走了栅极的高电平，接在漏极的小灯泡仍然是亮着的，知道寄生电容上的电荷消耗完为止，MOS才会关闭，这就是被称为电压控制元件的原因。

在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而MOS管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。 这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因。

MOS管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；MOS管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件； MOS管灵活性比三级管好， MOS管的制造工艺更适合于集成电路 。

MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成，三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定，在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。

综合整理自CSDN技术社区、永裕泰