MOS管是电压驱动型元件，用三极管直接驱动是没有问题的
MOS管导通后内阻很小，非常适用于功率负载的驱动，电动工具驱动，开关电源、DC-DC应用都可以看到MOS管的身影。MOS管是电压驱动型器件，设计MOS管驱动电路时，需要注意MOS管的门极开启电压（Vgs）
MOS管的门极开启电压（Vgs）是什么？
门极开启电压(Gate Threshold Voltage)Vgs是MOS管的重要参数，给门极提供的电压需要大于此电压才可以MOS正常导通工作。给MOS管门极施加的电压不同，导通时的内阻也是不同的。门极导通电压不足会导致MOS发热量增加。
在设计MOS管驱动电路时，一定要设置合理的门极开启电压(Gate Threshold Voltage)Vgs。
MOS管驱动电路设计
MCU的工作电压一般是3.3V或者5V，GPIO提供的电压可能不足以驱动MOS导通。驱动工作电压和工作电流较大的MOS管时，我们一般会加入三极管，加入加三极管驱动后，MOS的门极开启电压由三极管的集电极（C）提供。在开关速度较高的应用场合，可以考虑减少MOS门极限流电阻，减少门极的充电时间，加快MOS的导通速度。
MOS导通后的内阻虽然很小，但负载功率较大时，发热是非常厉害的，需要及时把热量散走，在功率较大的应用，可以给MOS管安装散热器

上图中，VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。为了能驱动MOS场效应管导通，电路中加了一级三极管电路，当VT1基极为5V高电平时，VT1导通，VT2截止；当VT1基极为低电平0V时，VT1截止，其集电极的10V电压（Rc上的压降几乎为零，可以忽略不计）直接加至VT2的G极（即栅极），这样便可以使VT2获得足够的栅极电压而导通。 (责任编辑：admin)