1，为MOSFET提供一个供电，经过电阻分压从而得到分压值，也即所谓的提供一个偏置电压;

2，起到防ESD静电的作用，避免处在一个高阻态。 这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻，避免MOS管误动作，从而损坏MOSFET的栅极G-源极S;

首先，第一个作用偏置电压作用应该好理解这里不做过多解释，主要来说下第二个作用的工作原理，它是怎样防ESD保护MOS管的G极和S极的。

图腾柱驱动电路

我们知道MOS管的G-S间的阻抗是很大的，这样只要当G-S脚有少量的静电，有一点的电流流过，G-S极间的等效电容两端就会产生很高的电压，因为大阻抗再乘以电流就会有一个很大的电压，如果不快速地将这些ESD静电泄放掉，在结电容Cgs两端产生的高压就有可能使MOS管产生误动作，甚至有可能把管子的G-S极击穿，所以在栅极(G) 与 源极(S) 之间加这个电阻，主要是把ESD静电泄放掉，从而起到保护这个MOS管的作用。

分析：这个电路是一个图腾柱的推挽电路，作用是加速MOS管快速导通和关断。 我们知道MOS管有一个米勒效应，为避免管子长时间停留在一个米勒平台上，所以我们要加速MOS管的导通与关断时间，从而减少开关的损耗。 Q3、Q4是轮流导通的，MOS管的G极在不断地充电和放电状态，如果这个时候突然关闭电源，MOS管的栅极就可能有有两种情况发生：

图一

第一种情况是，断电时栅源极刚好在放电状态，结电容Cgs没有电荷存储了，刚好电放完了;

另一是种情况是，断电时栅源极(Vgs)刚好在充电状态，这时结电容Cgs它是有电荷的，并且电是充满的，如上图一所示。 电源断开了，这时候Q1、Q2也都断开状态，都是没有电的。 这个时候Vgs的电荷就没有释放的回路，这个电荷一直存在这里，并且能保持很长的一段时间，建立MOS管导通条件并没有消失，相当于关机的时候Vgs一直是有电压存在的。 这样再次开机瞬间，由于激励信号还没有建立，而开机瞬间MOS管的漏极(D极)供电随机提供，在导电沟道的作用下，MOS管立刻产生不受控的巨大漏极(D极)电流Id，可能会引起MOS管烧坏，这种情况不是我们想要的。

图二

所以，为了避免此现象的产生，所以在在MOS管的GS之前并接一颗泄放的电阻R4，如上图二，关机后结电容Cgs存储的电压通过这个电阻R4对GND迅速释放。 一般这个电阻的阻值不可以取太大，太大了放电就比较慢，为为保证电荷的迅速释放，一般取5K至数10K左右。