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MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管。它是一种电子器件，可用于放大、开关和其他应用。MOSFET由四个区域组成：源(Source)、栅(Gate)、漏(Drain)和互补区域。栅通过氧化层与沟道隔离，控制了沟道的电阻。控制栅极电压可以改变沟道中载流子的浓度，从而控制源漏电阻，实现了放大和开关功能。MOSFET主要分为两种类型：N沟道型MOSFET和P沟道型MOSFET。 N沟道型MOSFET中，沟道是由N型半导体形成的，通常是多晶硅或硅基的。栅极放置在沟道上方，与沟道之间的氧化层隔离。源和漏是在N型沟道的两侧。当正电压被施加到栅极上时，栅极和沟道之间的氧化层会被击穿，形成一个导通通道，从而使电流从源极流到漏极。控制栅极电压可以控制沟道电阻，从而控制源漏电阻和电流流动。 P沟道型MOSFET中，沟道是由P型半导体形成的。源和漏是在P型沟道的两侧，栅极放置在沟道上方，与沟道之间的氧化层隔离。与N沟道型MOSFET类似，当负电压被施加到栅极上时，栅极和沟道之间的氧化层会被击穿，形成一个导通通道，从而使电流从源极流到漏极。控制栅极电压可以控制沟道电阻，从而控制源漏电阻和电流流动。 MOSFET的工作原理 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理类似于JFET，但MOSFET使用了一层绝缘氧化物(通常是二氧化硅)来隔离金属门极与半导体的直接接触，从而可以在门极和通道之间形成一个电容。MOSFET有三个端口：源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。 当MOSFET的栅极电压为零时，通道完全截止，没有漏极电流通过。当在栅极施加正电压时，电子会被吸引到接近通道的表面形成一个电子云，这个电子云就构成了一个导电通道，从而允许漏极电流流过。当栅极电压继续增加时，导电通道的宽度增加，漏极电流也随之增加，同时MOSFET的内阻减小。 与JFET不同，MOSFET的栅极电容很大，所以只需要很少的电流即可控制通道中的电流，从而实现了高输入电阻和低噪声。 MOSFET还有另一种类型，称为增强型MOSFET(Enhancement MOSFET)，它的通道处于截止状态，只有当施加正电压到栅极时，才会导致通道被激活，从而允许漏极电流流过。增强型MOSFET比耗尽型MOSFET更常见，因为它更容易控制，且具有更好的性能。 MOSFET的特点 MOSFET具有以下特点： 高输入电阻：MOSFET的输入电阻很高，约为数百兆欧姆至几千兆欧姆，比BJT高得多，因此对输入信号的影响很小。MOSFET的输入阻抗比BJT大得多，因此在输入信号比较弱的情况下更容易被驱动，且不会对输入信号产生太大的负载效应。 (责任编辑：admin) |