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氮化镓(GaN)功率半导体应用场景及行业市场规

时间:2023-05-05 11:27来源:未知 作者:admin 点击:
氮化镓 、GaN指氮化镓(GaN)是第三代宽禁带 半导体 材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、 电子 饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。 氮化镓器件主要包括 射频

氮化镓、GaN指氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

氮化镓器件主要包括射频器件和电力电子器件,射频器件产品包括功率放大器和开关器等,主要面向基站卫星、军用雷达等市场;电力电子器件产品包括场效应晶体管等产品,主要应用于无线充电电源开关和逆变器等市场。

GaN器件分类

氮化镓(GaN)功率半导体应用场景及行业市场规

资料来源:共研网整理

GaN功率器件包括SBD、常关型FET、级联FET等产品,主要应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。随着技术水平的进步与成本控制,GaN材料将在中低功率取代硅基功率器件,在300V~600V电压间发挥优势作用。GaN器件的体积将显著降低:由于导通电阻小、可在高温环境下共奏以及效应速度快,器件体积将显著降低。

氮化镓功率器件在部分场景的效率改善情况

氮化镓(GaN)功率半导体应用场景及行业市场规

资料来源:共研网整理

中国GaN功率半导体市场较小,但增长迅速。2015年中国GaN功率半导体市场规模0.11亿元,2021年市场规模达到1.88亿元。

2015-2022年中国GaN功率半导体市场规模走势图

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资料来源:共研网整理

GaN材料禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场高、饱和电子迁移速率高,在应用上可以做到高击穿电压、耐高温、低导通损耗、高输出功率以及低成本,在电力电子、微波通信、光伏逆变、照明等应用领域具有另外2代材料无法比拟的优势,具有重大的战略意义,相信在不久的将来GaN作为第3代半导体材料中优秀代表会得到更广泛的应用。

审核编辑 :李倩

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