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近日，氮化镓行业新增了4个项目，涉及单晶衬底、器件等环节。 台湾投6.5亿建GaN产线 7月6日，据台媒消息，中国台湾经济部近日宣布，将斥资28亿新台币（约6.48亿人民币）投资一家晶圆代工厂，在新竹科学园区增设氮化镓器件及砷化镓器件自动化产线。 据悉，该晶圆代工厂具备成熟的硅基半导体代工经验，并致力于开辟化合物半导体产业的新布局，但目前未披露该代工厂的更多信息。 此外，该GaN与GaAs的产线建设，还将在厂房屋顶装置太阳能板，有效提升绿电使用比例，逐步落实减碳排。 珠海新增GaN衬底项目 6月29日，珠海市工业和信息化局公布了2023年“创客广东”珠海市中小企业创新创业大赛初赛评审结果，其中入围的包括一个GaN项目。
根据公告，珠海方唯成半导体主导的“氮化镓自支撑衬底项目”成功入围复赛。目前该项目还未披露更多信息，“行家说三代半”将持续跟进该项目进展，敬请关注。 企查查显示，方唯成半导体成立于2022年4月，为珠海经济特区方源有限公司的控股子公司（持股比例85%）。 “行家说三代半”发现，今年5月，方源公司还对外新增投资滨州镓元新材料有限公司（持股比例 20%）。镓元新材料旗下有一个金属镓项目—— 镓元新材料已租用汇宏新材料的40亩土地，投资1.5亿元建设氧化铝原矿提取镓元素项目。目前该项目已落户，达产后将年产120吨金属镓。
GaN器件研究院已签约 6月26日，据“西电广州第三代半导体创新中心”消息，西安电子科技大学广州研究院与新加坡ICCT合作共建的“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心”项目在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上成功签约。 据悉，该项目将围绕第三代半导体射频器件、电力电子器件等产业需求，以大幅提升QFN、陶瓷封装、金属封装等封装技术研发能力为目标，聚力开发满足产业前沿需求的先进封装技术，推进国内领先性能的第三代半导体射频器件、电力电子器件及其模块的研制进程。 ICCT于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半导体封装材料和封装技术服务的企业，客户包括德州仪器、恩智浦、意法半导体以及罗姆等。 印度GaN中心安装新设备 7月3日，印度科学研究所 (IISc) 正在建设 GaN 中心项目，为此订购了牛津仪器的全套等离子体处理解决方案——包括原子层蚀刻 (ALE)、电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻模块、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)。 据悉，这套氮化镓等离子体加工解决方案将用于开发下一代 GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 高功率和高频功率电子器件和射频器件，以提供更好的效率和性能。
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