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导通电阻不同：IGBT的导通电阻比MOS管小，因此IGBT在高压、高电流的应用场合中更为常用。同时，IGBT在导通电阻小的情况下也具有较高的开关速度，因此在高频开关应用中也有广泛应用。 驱动电路复杂度不同：由于IGBT的电压和电流的极值较大，因此需要较复杂的驱动电路才能确保其可靠性和稳定性。而MOS管的驱动电路相对简单。 成本不同：MOS管的成本通常比IGBT低，因为MOS管的制造工艺更为成熟，而IGBT的制造工艺和材料成本相对较高。 总之，MOS管和IGBT在结构、工作原理、导通电阻、驱动电路复杂度和成本等方面有所不同，应根据具体应用需求选择适合的器件。 (责任编辑：admin) |