mos管为什么会有寄生二极管

mos管会有寄生二极管是因为mos管的源极和漏极之间的电阻会发生变化，这种变化会导致mos管内部的电压发生变化，从而产生一个寄生二极管。寄生二极管可以抑制mos管的漏电，从而提高mos管的效率。

寄生二极管

漏极和源极之间有一个寄生二极管，即“体二极管”，在驱动感性负载（如马达、继电器）应用中，主要用于保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

寄生二极管位置示意图

mos管寄生二极管的作用参数

mos管寄生二极管的参数主要有电压限制、电流限制、漏电流限制和漏电阻限制。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

寄生二极管方向判定

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的： 要么都由S指向D，要么都有D指向S。