FET广泛用于分立式和IC电路，提供电压增益和高输入阻抗。

场效应晶体管用于电路设计，因为它们能够提供非常高的输入阻抗水平以及显着的电压增益水平。

与作为电流控制器件的双极晶体管不同，场效应晶体管是电压控制的。这使得FET电路的设计方式与双极晶体管电路的设计方式大不相同。

但是，仍然可以设计具有电流和电压增益的电路，并采用类似的电路格式。

场效应管电路基础知识

在考虑使用FET电路时，有必要考虑FET技术，场效应晶体管的类型将是最适用的。

关于场效应晶体管技术的说明：

场效应晶体管FET是一种提供电压增益的三端器件。具有高输入阻抗的输入端子附近的电场称为栅极，可改变在称为源极和漏极的端子之间的通道中流动的电流。

场效应管有三个电极：

源：源极是FET上的电极，多数载流子通过该电极进入通道，即充当器件载流子的源。通过源进入通道的电流由IS指定。

排水：漏极是多数载流子离开通道的FET电极，即它们从通道中排出。通过漏极进入通道的常规电流由字母ID表示。此外，漏源电压通常由字母VDS表示

门：栅极是控制通道电导率的端子，因此栅极上的电压水平控制着在设备输出中流动的电流。

结 FET 电路符号

场效应管电路设计参数

在开始设计FET电路时，有必要确定电路的基本要求。这些将管理有关要使用的电路拓扑类型以及要使用的FET类型的许多决策。

晶体管电路设计的要求中可能需要许多参数：

电压增益：电压增益通常是一个关键要求。它是输出信号电压除以输入信号电压。

电流增益：这是FET电路的电流增益。可能需要向负载驱动高电流。

输入阻抗：这是前一级在向相关FET电路提供信号时将看到的阻抗。FET固有地具有高栅极输入阻抗，因此FET通常用于这一点至关重要的地方。

输出阻抗：输出阻抗也很重要。如果FET电路驱动低阻抗电路，则其输出必须具有低阻抗，否则晶体管输出级将出现较大的压降。

频率响应：频率响应是影响FET电路设计的另一个重要因素。低频或音频晶体管电路设计可能与RF应用中使用的电路设计不同。此外，电路设计中FET和电容值的选择也会受到所需频率响应的极大影响。

电源电压和电流：   在许多电路中，电源电压由可用的电压决定。此外，电流可能会受到限制，特别是如果完成的FET电路设计由电池供电。

用于电路设计的 FET 类型

由于可以使用几种不同类型的场效应晶体管，因此有必要至少定义一些可以在电路设计过程中使用的FET。

下表定义了可能遇到的一些不同类型和特征。