IGBT模块上下桥怎么区分

　　igbt模块为什么做成上下桥在一起？因为IGBT在工作时由于他和整流桥的电流很大发热量也非常大所以需要装在一块大的散热片上来为它散热，降低它的温度。

　　IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

　　IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

　　IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU” 。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。

　　IGBT模块的使用

　　1 ．防止静电 IGBT 是静电敏感器件，为了防止器件受静电危害，应注意以下两点：

　　① IGBT 模块驱动端子上的黑色海绵是防静电材料，用户用接插件引线时取下防静电材料立即插上引线；在无防静电措施时，不要用手触摸驱动端子。

　　② 驱动端子需要焊接时，设备或电烙铁一定要接地。

　　2 ．选择和使用

　　① 请在产品的最大额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦超出最大额定值，可能损坏产品，特别是 IGBT 外加超出 Vces 的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在 Vces 的额定值范围内使用！工作使用频率愈高 , 工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备，以免测试损坏。

　　② 驱动电路：要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求； 栅极电阻 Rg 与 IGBT 的开通和关断特性密切相关，减小 Rg 值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻 Rg 值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间最佳折衷 ( 与频率有关 ) 选择合适的 Rg 值，一般选为 5 Ω至 100 Ω之间。

　　③ 保护电路： IGBT 模块使用在高频时布线电感容易产生尖峰电压，必须注意减少布线电感和元件的配置，应注意以下保护项目：过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过温保护。

　　④ 吸收电路： 由于 IGBT 开关速度快，容易产生浪涌电压，必须设有浪涌钳位电路。

　　⑤ 并联使用： 应考虑栅极电路、线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。

　　⑥ 使用时请避开产生腐蚀气体和严重尘埃的场所。