众所周知，硅基材料是半导体产业的基础。第一代半导体以硅（Si）和锗（Ge）为代表，当前全球绝大多数的半导体器件均以硅为基础材料制造，占据着半导体产业90%以上的市场份额。

第二代半导体以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等化合物为代表，这类半导体主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。

第三代半导体以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物为代表，又被称为宽禁带半导体材料，应用场景主要分布在功率和射频领域。与前两代半导体材料相比，第三代半导体具备更宽的禁带宽度、饱和电子漂移速率高、更高的击穿电场、导热率高等优点。

1.将氮化镓LED进行反向偏压能实现可见光波段探测器的功能。传统氮化镓LED在制备过程中往往使用蓝宝石衬底或者氮化镓衬底。蓝宝石衬底一般只能设计横向结构，在高注入电流或者高入射光功率下，会表现出电流拥堵、散热差等问题，以至于芯片性能严重下降或损坏。氮化镓衬底是理论上最理想的衬底，可制备氮化镓衬底过程困难且成本极高，难以满足商用化需求。

  2.硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，可有效缩小功率器件体积，提高功率器件效率，对传统硅材料功率器   件进行替代。