单结晶体管有几个pn结

　　单结晶体管只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2，在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。单结晶体管广泛应用在振荡、延时和触发等电路中，最常见的电路就是驰张振荡器电路。

　　单结晶体管的文字符号是VT。单结晶体管在电路中的文字符号是VT。单结晶体管是由PN结、电阻组成的半导体器件，早期称为双基极二极管。

　　单结晶体管怎么测量好坏

　　（1）测量PN结正向电阻

　　将万用表置R×100或R×1k档，测量发射极。与任一基极间的正向电阻，正常时为几千欧至十几千欧，比普通二极管

　　电阻略大，反向电阻应趋于无穷大。一般以正、反向阻值比大于100倍为好。

　　（2）测量基极电阻RBB

　　万用表仍置于R×100或R×1k档测量基极b1、b2间的阻值应在2～10kΩ范围内．若阻值过大或过小，均不宜使用．

　　（3）测负阻特性

　　测负阻特性时，应在基极b1～b2间外接10V直流电源，如图一所示．正常时，万用表表针应在无穷大处，表明管子处于截止状态，还远末达到负阻区，发射极电流很小。若万用表表针向右方偏转，则表明管子无负阻特性，不能使用。

　　图一　负阻特性检测电路