1.在过去几年中，氮化镓（GaN）在半导体技术中显示出巨大的潜力，适用于各种高功率应用。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙（WBG）半导体，具有快速的开关速度，更高的击穿强度和高导热性。

2. 氮化镓晶体可以在蓝宝石，碳化硅（SiC），硅（Si）等多种衬底上生长。为了在硅上实现这种增长，仍然可以使用现有的制造基础设施，从而消除了对昂贵的生产场地的需求，并以低成本利用现成的大直径硅晶圆。

3.硅上氮化镓具有广泛的未来应用，扩展了当前的HEMT功能，将功率水平提高到1kW以上。该技术可帮助设计人员提高工作电压，并将频率响应从Ka波段推入E波段、W波段和太赫兹空间。

4.硅基氮化镓 LED 的其他优点包括：效率非常之高，甚至当以非常低的功率，驱动器件时也不例外；具有可以调整的发射轮廓，可以通过塑造芯片的形状来创建更好的光发射器。