我们在当今的电子系统中看到了许多趋势，例如转向更快的开关和更高的电压，特别是汽车和工业设计的48 V。这自然而然地将焦点引向了MOSFET和宽带隙FET。然而，即使在48 V EV系统中，仍然需要更简化的开关。随着Nexperia电阻晶体管（RET）产品组合的最新成员，设计人员可以选择使用高性能双极结型晶体管和集成偏置电阻器（通常称为数字晶体管）。

快速、高功率开关在当今的许多汽车和工业应用中发挥着关键作用，因为我们将性能推向了更高的水平。但这并不是完整的故事。每个系统或子系统都有一系列开关要求。对于低频中压开关，RET或数字晶体管是司空见惯的。通常用于提供一种直接从逻辑器件切换和驱动负载的简单方法，它们的优点包括节省空间、降低制造成本以及提高可靠性和鲁棒性。

RET或数字晶体管如何工作？

双极晶体管使用基极电流进行控制。但由于基极-发射极路径上的压降与温度高度相关，因此在大多数应用中，需要使用串联电阻器将基极电流保持在所需水平。这确保了晶体管的稳定和安全运行。

为了减少元件数量并简化电路板设计，RET将单极或双极晶体管与集成在同一芯片上的偏置电阻相结合。另一种选择是包括一个与基极-发射极路径并联的第二个集成作为基极分压器，这提供了微调和更好的关断特性行为。由于这些内部电阻器的容差高于常用的外部电阻，因此RET适用于晶体管在导通或关断状态下工作的开关应用。

配备电阻的晶体管也称为数字晶体管或预偏置晶体管

久经考验的产品组合

多年来，Nexperia的RET产品组合一直为这一经常被忽视的角色提供支持。提供广泛的选择，涵盖多种电压和电流额定值，包括 NPN 和 PNP 配置，以及包括 SOT23 变体在内的各种封装。还提供带两个晶体管和四个电阻器的双版本。

对于集成电阻，Nexperia提供1.2 kΩ至2 kΩ的R47值和2 kΩ至10 kΩ的R47值。电阻R2/R1的比率可以是1、2.13、4.55、10和21。Nexperia技术的一个优势是，电流值高于100 mA的集成电阻具有相对严格的容差。在 +/-10% 时，精度是其他产品的三倍，从而降低了输入电压安全裕度。

80V 汽车 RET

BJT因其稳健性而成为许多汽车应用的首选，Nexperia的标准50 V RET可用于许多12 V汽车应用。然而，采用48 V板网的电动汽车的增长意味着需要更多的空间。Nexperia的80 V RET可提供所需的安全运营裕量。

还有另一个驱动程序。汽车客户现在要求设备符合符合 ISO 7637-2：2011 的脉冲测试，该标准定义了电源总线沿线瞬变的鲁棒性。Nexperia的80 V RET已经过测试，可在基极-发射极结端承受所需的20 V电压。这对于卡车和卡车中的 24 V 系统以及 48V 汽车系统至关重要。

审核编辑：郭婷