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场效应晶体管放大电路详解

时间:2023-04-05 11:27来源:未知 作者:admin 点击:
场效应 晶体管 的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路,场效应晶体管放大电路也有三种组态:共源极放大电路、共漏极放大电路和共

场效应晶体管的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路,场效应晶体管放大电路也有三种组态:共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路,其特点分别和晶体管放大电路中的共射极、共集电极、共基极放大电路类似。

(1)自偏压电路

电路如图5-36所示,场效应晶体管的栅极通过电阻RG接地,源极通过电阻RS接地。这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻RS上产生的电压为栅源极间提供一个偏置电压UGS,故称为自偏压电路。静态时,源极电位US=IDRS。由于栅极电流为零,RG上没有电压降,栅极电位UG=0。

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图5-36 自偏压电路

电路中各元件的作用如下:

1)RS为源极电阻,它决定静态工作点的位置,为几十千欧姆。

2)CS为交流旁路电容,为几十微法。

3)RG为栅极电阻,构成栅源之间的直流通路。

4)RD为漏极电阻,它使场效应晶体管放大电路的电流控制作用转换为电压放大输出。

5)C1、C2为耦合电容,电容值为0.01微法到几微法之间。

(2)分压式偏置电路

自给偏压电路并不适用于增强型场效应晶体管。因为增强型管子在零栅源偏压时是没有漏极电流的,所以无法采用这种偏置形式,只能采用分压式偏置电路,如图5-37所示。图中RG1和RG2为分压电阻,栅极电阻RG上没有电流。

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图5-37 分压式偏置电路

图5-38所示为MOS管作为开关使用的实例—温控加热器电路,RT是负温度系数( Negative Temperature Coefficient, NTC)电阻,当温度降低时其阻值增大,当温度达到设定值时,RT上的分压使得场效应晶体管VF导通,与其串联的加热电阻R1 ~ R9通电开始加热,随着温度的下降,栅源极间电压增大,流过发热电阻的电流也随着增大。

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图5-38 温控加热器电路

审核编辑:汤梓红

(责任编辑:admin)
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