场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

　　FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。

　　场效应管的测量方法主要有电压测量法、电流测量法、电阻测量法、电容测量法、晶体管特性测量法等。

　　1、电压测量法是通过测量晶体管的输入电压和输出电压来确定晶体管的特性；

　　2、电流测量法是通过测量晶体管的输入电流和输出电流来确定晶体管的特性；

　　3、电阻测量法是通过测量晶体管的输入电阻和输出电阻来确定晶体管的特性；

　　4、电容测量法是通过测量晶体管的输入电容和输出电容来确定晶体管的特性；

　　5、晶体管特性测量法是通过测量晶体管的静态电流比、静态电压比、动态电流比和动态电压比来确定晶体管的特性。

　　在使用场效应管时，应注意以下几点：

　　1、应确保场效应管的工作电压不超过其额定电压；

　　2、应确保场效应管的工作电流不超过其额定电流；

　　3、应确保场效应管的工作温度不超过其额定温度；

　　4、应确保场效应管的工作环境温度不超过其额定温度；

　　5、应确保场效应管的工作环境湿度不超过其额定湿度；

　　6、应确保场效应管的工作环境没有腐蚀性气体；

　　7、应确保场效应管的工作环境没有强烈的电磁干扰；

　　8、应确保场效应管的工作环境没有强烈的热源。

　　场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

　　审核编辑：郭婷