氮化镓（氮化镓）是一种半导体材料，是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比，GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率，导致了更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻。因此，GaN晶体类型已成为近年来晶体技术发展和应用的关键因素。

　　GaN晶体属于超稳定纤维锌矿晶格型六方晶系（GaN晶体材料有两种不同的结构：六方锌矿结构和立方闪锌矿，其中，纤维锌矿结构是氮化物半导体最常见的结构，也是热力学稳态结构，而闪锌矿结构是亚稳态结构，不适合制造功率器件），GaN在1050°C时开始分解；GaN不会被冷水或热水、盐酸、硝酸和硫酸或冷的40%HF分解；它在冷浓碱中也是稳定的。

　　通常，具有Ga平面极性的GaN晶体通过有机金属化合物的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长，而具有N平面极性GaN晶体在一定条件下通过分子束外延（MBE）获得。

　　GaN体通常分为两类，即非晶GaN（nGaN）和晶体GaN（cGaN）。其中，非晶GaN是以二氧化硅（SiO2）为热保护层在高温下加工的氮化镓激光样品，其特点是晶体结构不完整，晶体溶解结构不均匀。结晶GaN是一种通过温度控制在低温下通过激光沉积的材料，它具有规则的晶体结构、高表面光洁度、稳定的晶体质量，可以提供效率更高、损耗更低的电子器件。

　　GaN材料正在推动更高性能晶体管和集成电路的出现，创新的电力设计工程师在设计中充分利用GaN器件的优势，包括：

　　1.降低导通电阻，以实现更低的传导损耗

　　2.具有更快开关的器件可以实现更低的开关损耗

　　3.较小的电容器可以在设备充电和放电时实现较低的损耗

　　4.驱动电路所需的功率较少

　　5.更小的设备可以减少解决方案在印刷电路板上的占地面积

　　6.降低成本

　　综合充电头网和Qorvo整合

　　审核编辑：郭婷