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nmos晶体管的工作原理/功能特性/电路图

时间:2023-05-20 11:27来源:未知 作者:admin 点击:
NMOS 晶体管 是一种 电子 元件,它是一种 半导体 晶体管,其中N指的是n型半导体材料,它具有负极性,可以用来控制电流的流动。它的主要功能是在电路中控制电流的流动,以及 控制电

  NMOS晶体管是一种电子元件,它是一种半导体晶体管,其中N指的是n型半导体材料,它具有负极性,可以用来控制电流的流动。它的主要功能是在电路中控制电流的流动,以及控制电路的输入和输出信号

  NMOS晶体管工作原理

  NMOS晶体管它由一个源极、一个漏极和一个控制极组成。当控制极上的电压高于源极时,晶体管就会导通,从而允许电流从源极流向漏极。当控制极上的电压低于源极时,晶体管就会断开,从而阻止电流从源极流向漏极。

  NMOS晶体管的功能特性

  NMOS晶体管在接收到非零电压时充当闭合电路,这意味着源端和漏极之间的连接起到导线的作用。因此,电源接收来自栅极端子的电流。当该晶体管获得约0V的电压时,源极端子和漏极之间的连接将被破坏,形成开路,导致电流从栅极端子流向漏极。

  下面显示了NMOS晶体管的I-V属性。源极和漏极 (VDS) 之间以及栅极和源极 (VGS) 之间的电压。因此,IDS和VDS之间的曲线是通过简单地将电源的端子接地,设置初始VGS值,然后将VGS值从“0”步进到“VDD”以将VDS设置为最高直流电压值来获得的。因此,IDS非常小,对于非常低的VGS将呈现线性趋势。当VGS值上升时,IDS改进并开发了对VGS和VDS的以下依赖关系。

  

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