新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性，有助于各种设备的DC/DC电源电路实现更低功耗。另外，根据不同用途提供3种小型封装，可减少安装面积，更加节省空间。

关于生产基地，前期工序在罗姆的总部（日本京都市），后期工序在ROHM Integrated Systems （Thailand） Co.， Ltd.（泰国），从2012年4月开始出售样品（样品价格30～50日元/个），从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。

近年来，随着服务器和笔记本电脑等的高性能化发展，CPU等的功耗不断增加，工作电压越发低电压化，设备的电源电路的温升和电池驱动时间减少已成为很大问题。在这种情况下，在同期整流方式降压型DC/DC转换器等各种电源电路中内置功率MOSFET，使之承担与提高电源的电力转换效率直接相关的重要作用。为了实现高效低损耗的功率MOSFET，降低导通电阻和栅极容量是非常重要的，然而权衡两者的关系后，往往很难同时兼顾。

新系列产品，除了进一步微细化，采用罗姆独家的低容量构造和新的“沟槽式场板结构”，同时实现了低栅极容量与低导通电阻。作为DC/DC转换器用功率MOSFET的性能指数所使用的“FOM”与传统产品相比降低了50％，达到了业界顶级的高效性。由此，不仅降低了同期整流型DC/DC电源电路的高边（High Side）的开关损耗，而且降低了低边（Low Side）的导通损耗，可大大提高电路整体的效率。另外，能够在高频下进行同期整流动作，使外围部件的小型化成为可能。

此外，本产品为了确保在同期整流电路中的性能，针对Rg（栅极电阻）、UIS（L负载雪崩耐量）实施了100%试验，在质量方面也具有高可靠性。罗姆今后也将充分发挥独创的先进工艺加工技术，不断推进设想到客户需求的晶体管产品的开发。

＜特点＞

1） 低导通电阻、低容量

进一步微细化，同时，采用罗姆独家的低容量构造和新的“沟槽式场板结构”，实现了低容量与低导通电阻兼备的元件。与罗姆传统产品相比，表示功率MOSFET的性能指数的“FOM”数值可降低50％。

2） 实现业界顶级的高效率

在同期整流型DC/DC电源电路中采用此次的功率MOSFET，可大大降低电力损耗，因此有助于设备的更低功耗。特别是高频下的特性卓越，使外围部件的小型化成为可能。

3） 采用小型封装，有助于更加节省空间，产品阵容中还包括复合封装

根据不同用途，提供3种小型封装。HSMT8比HSOP8的安装面积减少了65%，为节省空间做出巨大贡献。而且，产品阵容中还包括DC/DC电源电路中的高边（High Side）用MOSFET与低边（Low Side）用MOSFET复合化的新封装HSOP8（Dual）。不仅安装面积减小，而且还可有助于减少安装次数。

＜规格＞

＜术语解说＞

・DC/DC转换器

将直流电压转换为直流电压的电源电路。例如，将服务器和电脑等设备内部的12V标准电压转换为使微处理器和存储器等IC工作的各种电压（5V～0.9V等）。

・FOM（Figure of merit）

表示功率MOSFET性能的指数，以Ron×Qgd的数值表示。数值越小越优异。

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