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NMOS开关电路分析

时间:2023-07-09 11:26来源:未知 作者:admin 点击:
概述 上文和大家讨论了PMOS的 负载开关 电路,使用PMOS来控制后继电路的开关。然而在日常应用中PMOS可供选择的类型较少,价格也相对昂贵。因此选用NMOS作为 开关电路 选型范围较多,

概述

上文和大家讨论了PMOS的负载开关电路,使用PMOS来控制后继电路的开关。然而在日常应用中PMOS可供选择的类型较少,价格也相对昂贵。因此选用NMOS作为开关电路选型范围较多,成本也更加划算,尤其针对一些低压1V、1.8V、3.3V大电流应用中更有优势。
 

电路分析

如下图搭建NMOS开关电路
 

NMOS开关电路分析

其中Q1、Q2为控制电路R3端口加入3.3V脉冲激励源作为使能EN信号,使能信号高有效,当脉冲为高电平时NPN三极管Q1导通,PNP三极管Q2导通,NMOSQ3的基极电压为R5和R6分压所得,R7为假负载用于下电输出电容放电,R8为模拟的后级负载,当控制导通时V_out为3.3V。

R5、C1组成缓启动电路可以控制NMOS开关Q3的启动时间,C1和C3分别为被控制电源输入和输出滤波电容。

当配置R5、C1为10K和100nF启动时间为1.3ms左右启动波形如下;

NMOS开关电路分析

下电波形:
 

NMOS开关电路分析

当配置R5、C1为100K和100nF启动时间为30ms左右,启动波形如下;

NMOS开关电路分析

下电波形

NMOS开关电路分析

设置后级1000uF电容负载测量Q3启动冲击电流,R5、C1为10K和100nF组合冲击电流最大尖峰约为5.5A波形如下:

NMOS开关电路分析

设置后级1000uF电容负载测量Q3启动冲击电流,R5、C1为10K和1uF组合冲击电流最大尖峰约为0.6A波形如下:

NMOS开关电路分析

结论

NMOS也可作为电源开关电路使用,缓启动电路参数需要根据实际电路容性负载大小和MOS的SOA曲线配置。

(责任编辑:admin)
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