随着新能源汽车、光伏和储能等市场的快速发展，国内的碳化硅产业正迅速进入商业化阶段。国际功率半导体巨头对该产业表达了浓厚的兴趣，并与国内企业合作，积极追赶更先进的8英寸工艺节点。

当前，碳化硅衬底在功率元器件中的成本占比接近50%。因此，国际巨头纷纷涉足碳化硅产业，并争相抢占8英寸制造技术的先机，甚至将量产时间提前至今年。

明确的行业趋势是从6英寸扩径到8英寸。如果国内设备制造商仍然大幅提高6英寸衬底设备产能，将面临“投产即落后”的问题。

尽管目前主流芯片技术仍以6英寸为主，但美国的Wolfspeed公司已经开始商业化生产8英寸衬底。国内少数厂家可以进行8英寸衬底的示范或小规模供货，但尚未形成大规模供货能力。就成熟度和价格而言，8英寸碳化硅技术相对于6英寸技术还不具备竞争优势，其发展前景主要取决于未来新能源汽车等市场的需求规模。

据报道，国内已有十余家企业和机构正在进行8英寸碳化硅衬底的研发工作。这些企业包括烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学、天科合达、科友半导体和乾晶半导体等。

与传统的6英寸衬底相比，8英寸衬底的面积增加了约78%。由于边缘损耗减少，在相同的条件下，从一块8英寸衬底上切割出的芯片数量将提高近90%。因此，随着尺寸的增大，碳化硅晶片的利用面积也随之增加。从产品使用效率来看，目前可用面积方面，6英寸和8英寸之间相差约1.78倍。换句话说，采用8英寸制造技术将在很大程度上降低碳化硅的应用成本。这一趋势对于推动碳化硅产业发展具有重要意义。

编辑：黄飞