二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

半导体二极管内部就是一个PN结组成的，它是由纯净的本征半导体，采用不同的掺杂工艺，形成P型半导体和N型半导体，通过扩散作用，将这两种半导体制作在同一块半导体基片上，它们的交界面形成的空间电荷区，称为PN结。如图：

下面讲讲解半导体二极管的特性。

正向导通特性。在电子电路中，当二极管的正极接在电路的正电位，负极接电路的负电位时，二极管就会导通。 反之，二极管截止。如图 ：

伏安特性。二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线如图所示 。

二极管的伏安特性曲线

在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示 。

对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

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