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通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点 ・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。 ・要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对策，需要逐一了解电压的行为。 (责任编辑：admin) |
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通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点 ・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。 ・要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对策，需要逐一了解电压的行为。 (责任编辑：admin) |
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