电子元件2026-03-05

瓷介电容器的结构与特点 瓷介电容器又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜(一般为银)经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封,即成为瓷介电容器。

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CS1型3类瓷介电容器 CS1型3 类资介电容器具有体积小、电容量大、截止频率高、温度特性优良等特点，适用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。其外形如图4-74 所示，主要特性参数见表4-114 。

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CT8型高压瓷介电容器 CT8型高压盟介电容器适用于高压电子电路的倍压、滤波、储能及旁路等，使用的环境、温度为- 20° ~  + 85℃。其外形如图4-75所示，主要特性参数见表4-115 。

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CC81型中高压瓷介电容器 CC81 型中高压瓷介电容器采用阻燃性环氧粉末封装.具有损耗小、容量稳定、可靠性高等特点，适用于彩色电视机及其他电子设备，在谐振回路和其他电路中做温度补偿、耦合或隔直流用。其外形结构有

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CT81型军用高压瓷介电容器 CT81 型军用高压瓷介电容器采用阻燃材料包封，引线为单向引出，适合印刷电路板安装，适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示.

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CCG2型管形高功率瓷介电容器 CCG2 型管形高功率瓷介电容器供槽路、耦合及旁路等电路使用。其外形如图4-78 所示，主要特性参数见表4-119 。

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CS52A型穿心瓷介电容器 CS52A 型穿心瓷介电容器适用于电视机调谐器及其他电子设备中，其外形如图4-80 所示，主要特性参数见表4-121 。

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CC5型穿心式瓷介电容器 CC5 型穿心式瓷介电容器具有体积小、便于安装、性能稳定可靠等优点，适合在军用及各种电子设备、仪器、仪表等电路中作高频旁路用。其外形如图4-81 所示，主要特性参数见表4-122 。

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CC1 温度补偿型圆片瓷介电容器 CC1 温度补偿型圆片瓷介电容器具有电容量变化与温度呈线性 ,容量稳定性高,低损耗,多种温度系数，适用于谐振回路及温度补偿效应的回路。CC1型1类瓷介电容器（GB/T5967-96）       CC

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