堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺介绍
电子元件2026-03-05
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。下图(b)为AA刻蚀后的横截面;下图(c)为形成STI后的横截面；下图(d)显示了P阱形成后的横截面。STI和P阱形成
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