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漏极开路（OD)原理说解
电工问答2026-03-04

漏极开路（OD)原理说解漏极开路（OD)，它与集电极开路（OC）是一致的，就是把下图的三极管改成CMOS管就是了。

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集电极开路（OC）/漏极开路（OD）输出的结构
电工问答2026-03-04

集电极开路（OC）/漏极开路（OD）输出的结构 A：我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所以叫做集电极开路（左边的三极管为反相之用，使输入为“

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基极是什么意思
电工问答2026-03-04

基极是什么意思　　jījí　　[base electrode] 由晶体管基区引出的电极.基极符号为B.　　基极是半导体三极管的电极.一只半导体三极管有三个电极.分别是发射极,基极和集电极.半导体管在工作时要加工作电压.于是就产

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集电极是什么意思
电工问答2026-03-04

集电极是什么意思　在三极管中,集电区和基区之间的PN结叫集电极.用符号C表示.也可以表述为,集电极是三极管的供电端.常见输入为+5V,+12等.

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绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGBT是什么意思
电工问答2026-03-04

绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGBT是什么意思 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上

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IGBT的结构和工作原理
电工问答2026-03-04

IGBT的结构和工作原理图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、

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结型场效应晶体管是什么?
电工问答2026-03-04

结型场效应晶体管是什么? 结型场效应晶体管利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。这种晶体管的

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MIS器件,MIS器件是什么意思
电工问答2026-03-04

MIS器件,MIS器件是什么意思以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4为栅介质的MNS器件，以及以SiO2+Si3N4为栅介质的MNOS器件，统称为金属-绝缘栅

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什么是MIS
电工问答2026-03-04

什么是MIS 金属－绝缘体－半导体（简写为 MIS）系统的三层结构如图1所示。如绝缘层采用氧化物,则称为金属-氧化物-半导体(简写为MOS)系统。硅片上生长一层薄氧化膜后再覆盖一层铝，就是最常见的MOS结构。60年代以来

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什么是化合物半导体集成电路
电工问答2026-03-04

什么是化合物半导体集成电路是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶（主要是硅单晶）片上。它完成特定的电路或系统功能。这种集成电路与过去将各

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什么是多层氧化物MOS集成电路
电工问答2026-03-04

什么是多层氧化物MOS集成电路所有 MOS 集成电路（包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS，互补 MOS — CMOS 集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集

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栅极/浮置栅,栅极/浮置栅是什么意思
电工问答2026-03-04

栅极/浮置栅,栅极/浮置栅是什么意思　多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，有控制板极电流的强度﹑改变电子管的性能等作用。

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阶跃恢复二极管的工作原理
电工问答2026-03-04

阶跃恢复二极管的工作原理阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt（转移时间）短,所以

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雪崩渡越时间二极管,雪崩渡越时间二极管是什么意思
电工问答2026-03-04

雪崩渡越时间二极管,雪崩渡越时间二极管是什么意思雪崩二极管，亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极管。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。这

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雪崩二极管工作原理是什么?
电工问答2026-03-04

雪崩二极管工作原理是什么? 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不

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什么是肖特基势垒二极管
电工问答2026-03-04

什么是肖特基势垒二极管肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode），又称为金属-半导体二极管,是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。SBD用某些金属和半导体相接触，在它们的交界面处便会形成一个势垒

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