Cool-Mos是英飞凌推出的新产品,其中C3系列是最有代表性,因为其性能参数都比别的品牌好,但价格相当高。
它跟普通的MOS管最有价值的不同之处是RDS(ON)只有普通MOS管的一半左右,用Cool-Mos取代普通MOS管,是可以降低损耗,提高效率的。另外,还有就是(1)同等功率下封装小,有利于电源小型化;(2)栅极开启电压限高,搞干扰能力强;(3)栅极电荷小,驱动功率小;(4)节电容小,开关损耗小。目前广泛应用在通信电源,光伏逆变器等行业。
近几年其他MOS管厂家也逐渐用相同的技术推出自己的产品。比如,富士的新产品是SJ-MOS,其特点是和Cool-Mos的RDS(ON)相同,而由于留的余量没有英飞凌的多,所以价格相当有优势。
现在在国内使用仍是十分片面的,任重而道远。举个比如,在一个70W的笔记本适配器上,许多仍是用的20A的平面管(或者是16A),可是我们知道实践电路里的有用电流其实很小,用20A仅仅垂青他的低内阻,下降损耗,下降温升。如果运用Coolmos,以为还需求16A的,那平等电流,价格必定不可比的。其实呢,Coolmos10A满足去代替了。开关损耗,Coolmos要较平面管低许多,内阻的话Coolmos的10A较之16A的平面也不会高多少,在高温下,根本内阻是共同的。(有机会发个试验数据,16A的平面管和10A的Coolmos在100度下,内阻是相差不多的条件,带负载,表现开关损耗低的特色)。
一般选择一颗MOS大致看以下几个参数BVIdRdsVthQgPd等。可是这几个参数,只要Qg和Id是交流参数,其他都是静态参数。而半导体这东西就是随温升变坏的。那动态参数,其实是变坏的。25度的电流是100A,或许125度的时分,电流只要50A,所以选型的时分要以高温下(老化房)的数据为准。那选好了电压、电流,剩余就是看Coolmos的损耗了。Coolmos在外表的是Rdson较低,只要平面管的1/3或者1/4,那MOS的导通损耗必定较之平面管要低不少。MOS的别的一个损耗,开关损耗其实往往愈加占主导。开关损耗在MOS里最直接表现的数值是Trr。
这也是Coolmos最中心的参数。从coolmos的开展来看C3C6CPCFDCFD2都是在Trr上下功夫(C6在外,他是C3的Costdown)。你是电源规划者,Trr的合理运用,你比我清楚。Coolmos在实践使用中,MOS前段的Rg驱动,一般对电阻要求会低许多。这也能下降损耗。举个比如,20N60C3MOS前段的驱动电阻一般可做到15mohm以下,可是也不是越低越好,开关越高,EMI的问题就出来了。所以驱动电阻的选择要综合考虑,在EMI允许的情况下,尽量下降驱动电阻。
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