电工基础

电工基础知识_电工技术-电工最常见电路

MOSFET作为后端负载的开关有什么风险

时间:2019-10-24 20:26来源:未知 作者:admin 点击:
MOSFET导通时的内阻非常小,驱动负载能力比三极管更强 MOSFET可以用于快速开关、电平转换、负载驱动。MOSFET导通内阻更小,可以通过的电流比三极管多很多,更适合用于驱动负载。电动

MOSFET导通时的内阻非常小,驱动负载能力比三极管更强
MOSFET可以用于快速开关、电平转换、负载驱动。MOSFET导通内阻更小,可以通过的电流比三极管多很多,更适合用于驱动负载。电动工具的电机驱动用的就是MOSFET,承受的电流可以达到几十A。

CPU的GPIO直接控制MOSFET
MOSFET是电压控制型的元件,如果CPU的GPIO的输出电压大于MOSFET导通电压要求,直接驱动是没有问题的。

N沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为高电平时MOSFET导通,GPIO(DR)设置为低电平时MOSFET断开

P沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为低电平时导通,GPIO(DR)设置为高电平时MOSFET断开

不同的驱动电压,MOSFET导通时的内阻会有差异,驱动电压较低时,内阻会增大,导致MOSFET发热增大。如果CPU的工作电压较低,GPIO直接驱动MOSFET的确存在一定的风险。在设计MOSFET驱动电路时,一定要充分考虑CPU的GPIO的驱动电压

CPU驱动电压不足可以加入三极管驱动
三极管是电流型的驱动元件,虽然CPU工作电压较低,通过调整三极管的基极电阻可以使控制电流(Ib)满足三极管驱动要求,再通过三极管集电极提供驱动电压给MOSFET。

N沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为低电平时导通,三极管截止,三极管的集电极为高电平,可以驱动N MOSFET导通;CPU的GPIO(DR)设置为高电平时,三极管导通,三极管的集电极为低电平,N MOSFET管就断开了。

P沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为高电平时导通,三极管导通,三极管的集电极为低电平,可以驱动P MOSFET导通;CPU的GPIO(DR)设置为低电平时,三极管截止,三极管的集电极为高电平,P MOSFET管就断开了。

总结
用CPU的GPIO口直接控制MOSFET管,MOSFET作为后端负载的开关是否存在风险需要看MOSFET的选型和电路的设计是否合理。如果设计合理,CPU的GPIO驱动MOSFET的电压足够是不存在风险的。在不确定是否存在风险的情况下,建议加入三极管控制MOSFET,以确保产品设计的可靠性!

(责任编辑:admin)
织梦二维码生成器
------分隔线----------------------------
栏目列表
推荐内容