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HMC415LP3E功率放大器特性介绍

时间:2023-10-05 11:26来源:未知 作者:admin 点击:
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极 晶体管 (HBT)MM IC 功率放大器 。 放大器 封装在低成本、无引线表面安装封装中,具有暴露的底座,以提高 RF 和热性

HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMIC功率放大器放大器封装在低成本、无引线表面安装封装中,具有暴露的底座,以提高RF和热性能。

HMC415LP3E功率放大器特性介绍

在具有最小外部组件的情况下,放大器从+3V电源电压提供20dB的增益、+26dBm的饱和功率和34%的PAE。Vpd可以用于全功率下降或RF输出功率/电流控制。对于+15 dBm OFDM输出功率(64 QAM,54 Mbps),HMC415LP3和HMC415LP3E实现了3.7%的误差矢量幅度(EVM),满足802.11a线性要求

HMC415LP3E典型应用

这个放大器是用作电源的选择用于4.9-5.9 GHz应用的放大器:

802.11a无线局域网

HiperLAN无线局域网

接入点

UNII和ISM无线电

编辑:黄飞

全文完 (责任编辑:admin)
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