1.硅基氮化镓（GaN-on-silicon）LED始终备受世人的关注。在最近十年的初期，当 Bridgelux（普瑞光电）公司宣布该技术可减低 LED 照明的成本时，它一举成为了头条新闻。LED 芯片的制造成本将大幅下降，这得益于业界转向使用较为便宜、尺寸较大的晶圆片，以及有机会在未得到充分利用且全部折旧完毕的 200 mm 硅生产线上加工器件。然而，在政府补贴和蓝宝石衬底价格大幅降低的帮助之下，通过削减传统芯片的成本，大批涌入该市场的却是中国的公司。

2.氮化镓是氮和镓的化合物，GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是 Gallium nitride。它是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（Direct Bandgap）的半导体，也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅（SiC）一起被称为“第三代半导体材料”，而第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场前景，成为全球半导体市场争夺的焦点。

3.为什么GaN技术得到了发展？

主要的原因有两点：第一，GaN在降低成本方面显示出了更强的潜力，目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，以替代昂贵的SiC衬底；第二，由于GaN器件是个平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。

氮化镓（GaN）具有更高的击穿电压(使用GaN时大于200V)，能够承受高的输入/输出错配(通常>15：1VSWR)，具有更高的结温，平均无故障时间为一百万个小时。此外，它还具有热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性