全SiC 功率模块 与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。 全SiC功率模块的开关损耗 全...

与 IGBT 的区别：Vd-Id特性 Vd-Id特性是 晶体管 最基本的特性之一。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。 请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET 的Id相对Vd（Vds）呈线性增加，但由于IGBT有上升电...

本文将介绍与Si- MOSFET 的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个 参数 ，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注...

功率转换电路中的 晶体管 的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件 半导体 的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工...

进行 半导体元器件 的评估时， 电气 / 机械 方面的 规格 和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率 元器件 是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分...

功率晶体管的结构与特征比较 下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。 使用的工艺技术不同结构也不同，因而 电气 特征也不同。补充说明一下，DMOS是平面型...

关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si 二极管 的比较、及当前可供应的 产品 。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。 SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征 SiC-SBD为形成 肖特基 势垒，将...

碳化硅（SiC）是比较新的 半导体 材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。 SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、...

继SiC功率 元器件 的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒 二极管 开始。 SiC 肖特基 势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“...

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开...