SAMSUNG NAND三星宣布32奈米制程TLC芯片量产

在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程竞局, 三星电子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量产，一举领先目前停留在43奈米制程的东芝，至于英特尔(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片将于2009年底量产。内存业者表示，2010年光是三星和东芝所掀起TLC应用，预计在低阶随身碟和记忆卡市场将会有70~80%芯片被TLC产品替换。

三星宣布量产TLC芯片以32奈米制程切入，令业界相当意外，目前看来三星在30奈米制程世代系采分进合击策略，32奈米制程生产TLC芯片，35奈米制程则生产MLC芯片，显见这次三星对于一举追上东芝制程技术，在台面下已酝酿许久。

至于英特尔和美光阵营方面，日前亦信誓旦旦宣布，将在2009年底量产TLC芯片，但业界透露，该阵营内部对于是否转入TLC世代，看法仍分歧，部分人员认为现在应集中资源进入20奈米制程世代，而非去作TLC这种只能用在低阶产品的技术，等到20奈米制程量产后，要再进行制程微缩难度增加时，再去生产TLC产品。

根据英特尔和美光内部规画，2010年初将量产20奈米制程产品，届时应会再去考量TLC芯片生产时程，因为这样规画仍可以在技术上领先三星和东芝，但不需要现在就急着去淌TLC技术浑水。此外，业界亦传出英特尔和美光阵营仍可能抢先量产TLC芯片，但暂时只供给美光旗下记忆卡公司Lexar使用，暂不会大量对外贩售。

海力士(Hynix)方面，目前TLC制程技术还未成熟，由于其在NAND Flash市场影响力已逐渐降低，因此，将难以影响大局，目前海力士主流制程将由41奈米转移至35奈米。内存业者认为，三星和东芝TLC芯片量产后，2010年低阶快闪记忆卡和随身碟约有70~80%芯片都会被TLC芯片替换，对于NAND Flash市场将会是另一波冲击，未来随身碟和记忆卡势必越来越便宜，但NAND Flash这样降价趋势，对于固态硬盘(SSD)市场却是完全没帮助，因为TLC芯片成本虽然较MLC芯片大幅降低，但效能亦同步锐减，无法应用在SSD产品上。

值得注意的是，随着TLC时代来临，三星在4GB和8GB小型记忆卡microSD供货量可望倍增，再次夺回microSD供应龙头宝座，其中，在4GB产品上，三星只要采用1颗32Gb TLC芯片，胜过竞争对手要用2颗16Gb芯片堆叠，可避免堆叠造成良率流失，而在8GB容量记忆卡上，则可用2颗32Gb TLC芯片，因此，预计8GB小型记忆卡供货量会倍增，将整个microSD市场推至高容量世代，终端消费者将是最大受益者。

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