mos管参数解读

　　mos管基本参数

　　Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。

　　Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。

　　Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。

　　Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。

　　Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。

　　Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。

　　Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）电量。

　　Qgs：栅源充电电量。

　　Qg：栅极总充电电量。

　　mos管动态参数

　　IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS通常在纳安级。

　　IDSS：饱满漏源电流，栅极电压VGS=0、

　　VDS为必定值时的漏源电流。通常在微安级。

　　VGS（th）：敞开电压（阀值电压）。当外加栅极操控电压VGS超越VGS（th）时，漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道。应用中，常将漏极短接前提下ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压。此参数通常会随结温度的上升而有所下降。

　　RDS（on）：在特定的VGS（通常为10V）、结温及漏极电流的前提下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）。故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算。

　　Tj：漏源击穿电压的温度系数，通常为0.1V/℃。

　　

　　mos管静态参数

　　TSTG：存储温度范围。

　　Tj：最大作业结温。通常为150℃或175℃，器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度，并留有必定裕量。（此参数靠不住）

　　VGS：最大栅源电压。，通常为：-20V~+20V

　　PD：最大耗散功率。是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量。此参数通常会随结温度的上升而有所减额。（此参数靠不住）

　　IDM：最大脉冲漏源电流。表现一个抗冲击才能，跟脉冲时刻也有联系，此参数会随结温度的上升而有所减额。

　　ID：最大漏源电流。是指场效应管正常作业时，漏源间所容许经过的最大电流。场效应管的作业电流不应超越ID。