SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。
3)SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和 200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。
肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大,像使用硅及金属为材料的肖特基二极体,其反向偏压额定耐压最高只到 50V,而反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题,肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步,其反向偏压的额定值最大可以到200V。
冷门知识:三极管也有特殊用法
时间:2026-03-07
晶体三极管放大电路的非线形失真及其解决办...
时间:2026-03-07
从一种新的切入角度来看三极管工作原理
时间:2026-03-07
三极管常见分类简介
时间:2026-03-07
你真的很懂三极管吗?
时间:2026-03-07
一文读懂三极管的符号、分类及如何判断极性
时间:2026-03-07
授人以鱼不如授人以渔,这些三极管放大电路...
时间:2026-03-07
放大电路的三种组态的识别与比较,放大电路...
时间:2026-03-07
三极管工作原理介绍,NPN和PNP型三极管的原...
时间:2026-03-07
8050开关继电器电路图,8050三极管开关电路...
时间:2026-03-07
玻璃釉电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
电容器入门教程
时间:2026-03-05
关于STM32WL LSE 添加反馈电阻后无法起振的...
时间:2026-03-05
暑期买元器件下单立减还送华为P30pro
时间:2026-03-05
电阻的标称阻值和允许偏差
时间:2026-03-05
使用过滤器电容器和诱导器来抑制受辐射的EM...
时间:2026-03-05
LED固晶机龙头直面“寒冬”
时间:2026-03-05
浅谈高压贴片电容分类与性能参数
时间:2026-03-05
聚四氟乙烯电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
漆膜电容器的结构与特点
时间:2026-03-05