什么是本体偏压/次临界漏电 (ISUBTH)/High-k

什么是本体偏压/次临界漏电 (ISUBTH)/High-k 电介质/High-k 电介质/GIDL

本体偏压
通过改变电路上的电压来减少电流泄漏的技术。将电路主体连接至偏压电压来控制晶体管阈值。可通过应用一个反向偏压来减少待机电流泄漏。

次临界漏电 (ISUBTH)
当晶体管处于关闭状态时，电源和晶体管漏极之间的电流。

High-k 电介质
高介电常数（k，一个衡量材料可具有多少电荷的参数）的材料，与半导体绝缘层中使用的二氧化硅材料相比。因为high-k 栅极绝缘层比二氧化硅具有更高的透电率，因此它们也被叫做高透电层。当其厚度可与二氧化硅薄膜相比时，高介电常数 High-k 材料可被用作物理厚度的绝缘层来减少漏电电流。日电电子使用具有高可靠性的 HfSiOx High-k 绝缘材料。

GIDL（栅极引发漏极漏电）
从晶体管漏极到基区的漏电电流。晶体管处于关闭状态时，在栅极/漏极重叠区域下高电场中产生的 GIDL 电流。